靜電的產(chǎn)生是因為不同物質的物體互相摩擦時，正負電荷分別積蓄在兩種物體上。例如，化纖衣物的摩擦引起的靜電，當它們與其他系統(tǒng)接觸時便會放電形成靜電放電干擾。其放電電壓可高達2—30kV。實驗證明，人體所帶的靜電一般為10V—15kV。在 靜電放電發(fā)生器電子控制設備外殼上放電是經(jīng)常見到的放電現(xiàn)象，放電電流流過金屬外殼，產(chǎn)生電場和磁場，通過分布阻抗鍋臺到殼內的電源線、信號線等內部走線，引起誤功作。電子控制設備的信號線或地線上也可直接放電，如鍵盤或顯示裝置等接口處的放電，其干擾后果更為嚴重。 現(xiàn)在的電子設備廣泛使用的CMOS芯片，是zui易受靜電干擾的器件。盡管現(xiàn)在應用的大多數(shù)CMOS器件采取了一些保護措施來防止靜電干擾，但是，由于器件本身結構的特點，對靜電引起的破壞仍然不可掉以輕心。CMOS器件結構的顯著特點是輸入阻抗*，可達1000M O；內部的極間電容量很小，不超過1pF。當帶有靜電的人體接觸到CMOS器件的控制極時，人體向cMOS器件放電。由于輸入阻抗*，放電電荷不能泄入接地極，而是注入控制極，極間電容立即被充電到很高電壓，把氧化膜擊穿；放電電流流入器件內部，瞬時值高達幾十安的放電電流使器件發(fā)熱，迅速燒熔，導致?lián)p壞。 靜電放電發(fā)生器*杜絕靜電放電現(xiàn)象是比較困難的。但在線路原理、結構設計、安裝環(huán)境和操作步驟等方面采取適當措施，則可使靜電放電的危害程度降到zui低。 抑制靜電放電干擾必須從兩方面著手：避免產(chǎn)生靜電；切斷靜電放電電流途徑。抑制 靜電放電發(fā)生器靜電放電干擾的措施有如下幾種： （1）CMOS器件的防靜電方法。其一是輸入引腳不能浮空。如果輸入引腳浮空，在輸入引腳上很容易積累電荷。盡管CMOS器件的輸入端都有保護電路，靜電感應一般不會損壞器件，但很容易使輸入引腳電位處于0—1V間的過渡區(qū)域。這時反相器上、下兩個場效應管均會導通，使電路功耗大大增加。其二是設法降低輸入電阻，可以將輸入引腳與電源之間或與地之間接入一個負載電阻(1—10kO)，為靜電電荷提供泄流通路。其三是當用CMOS器件與長傳輸線連接時，應通過一個們rL緩沖門電路之后再與長傳輸線相連。 (2)環(huán)境濕度以維持在45％—65％為宜。因為靜電的生成與濕度有密切關系，環(huán)境越是干燥，越容易產(chǎn)生靜電。 (3)機房地板應使用絕緣性能差的材料，如盡量鋪設有導電性的塑料地板。 (4)檢驗設備時，在操作臺上放置接地的金屬極，以使操作人員身上的靜電立刻入地。 (5)操作人員工作時，不可穿容易帶靜電的化纖衣服和鞋帽等。 (6)操作人員在工作時本身應有接地措施，如手腕上系戴金屬接地的鏈閡等。 (7)焊接元器件時，務必使用烙鐵頭接地的電烙鐵。其他設備、測試儀器及工具也應有良好接地措施。 (8)搬運、儲存及裝配作業(yè)過程中，應注意使CMOS器件的各個引腳保持相同電位，如用鋁箔包裝，或者放于有良好導電性的包裝袋或盒子中。 (9)若難以營造不易產(chǎn)生靜電的環(huán)境，則應從提高電子設備表面的絕緣能力著手。在可能發(fā)生靜電放電部位或裝置加強絕緣或加以屏蔽，并接地良好。例如：柜體表面涂刷絕緣漆；操作開關等部位留足隔離間隙等；也可以用絕緣薄膜等遮蓋整個機柜。這樣，雖然帶電的人或物體觸碰設備，也不致于產(chǎn)生放電電流。 |
